确定性公式
数值由经过测试的代码计算，而不是由语言模型猜测。
ENGINEERING TOOL MATRIX
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FOUNDATIONS
单位、电平与匹配关系
处理 dB 参考量、线性量和射频反射关系，建立后续工程计算的共同语言。
EMC DESIGN
场、波与材料
面向结构、屏蔽和场区的早期设计判断，明确介质与近远场模型边界。
λEMC设计
波长与关键尺寸
由频率和介质参数计算波长，以及 1/4λ、1/10λ 和 1/20λ 关键尺寸。
δEMC设计
趋肤深度
根据频率、电导率和相对磁导率估算导体中的趋肤深度。
SRFEMC设计
电容网络与反谐振
按复导纳合并1–6种C-ESR-ESL支路，计算网络阻抗、各支路自谐振并识别模型反谐振峰。
L/CpEMC设计
电感阻抗与自谐振
用串联L-DCR支路与并联寄生电容Cp的一阶模型计算复阻抗、相位、Q值和自谐振。
ILEMC设计
EMI滤波器响应
用复数ABCD矩阵计算C、L、LC、π、T及2–5元件低通梯形网络的端接电压插入损耗、传输和端口阻抗。
LCEMC设计
2–5阶低通反算
按等源/负载阻抗的 Butterworth 原型，由截止频率或阻带衰减目标综合 2–5 阶低通梯形网络名义元件值。
E/HEMC设计
电磁场与功率密度
在自由空间远场平面波条件下换算 E、H、B 与平均功率密度。
XtalkEMC设计
集总耦合噪声
估算电小近似下的集总容性与感性耦合；NEXT/FEXT 在分布参数模型完成权威审校前停止输出。
I_D/I_CEMC设计
差模 / 共模辐射
依据 Paul 电小环与双导体模型，分别估算差模、共模最大远场并比较主导辐射模式。
SEEMC设计
屏蔽效能
估算单层均匀屏蔽的集肤深度、吸收损耗、反射损耗、多次反射修正与孔隙泄漏，远场平面波近似。
Z₀EMC设计
特性阻抗
计算微带线、对称带状线与传统无背面地 CPW 的特性阻抗，并按各自几何变量反解。
RF SYSTEMS
功率、阻抗与辐射链路
连接发射机、馈线、天线和空间场强，适合射频链路的双向核算。
TEST & MEASUREMENT
测量链与场区判断
处理接收机修正、测试距离和远场条件，为预认证与测量复核提供依据。
DESIGN PRINCIPLES
工程判断，需要的不只是一个结果。
明确假设
主动说明介质、场区和模型边界，避免正确公式被错误使用。
文献可追溯
公式关联标准、计量指南或技术报告，并记录最近核验日期。