F01
良导体趋肤深度
δ = √(2 / ωμσ) = 1 / √(πfμσ)场幅值进入导体后衰减至表面值 1/e 时的特征深度。
- δ
- 趋肤深度m
- f
- 频率Hz
- μ
- 绝对磁导率 μ₀μᵣH/m
- σ
- 电导率S/m
适用条件
- 良导体近似 σ ≫ ωε
- 均匀、各向同性材料
EMC设计
导体趋肤深度计算器
根据频率、电导率和相对磁导率估算导体中的趋肤深度。
FORMULAv1.2.0
INPUT PARAMETERS
输入材料与频率
材料参数会随频率、温度和加工状态变化；预设值仅用于工程估算。
CALCULATION RESULT
计算结果
本地计算
∿
输入参数后点击计算，结果和模型假设会显示在这里。
FORMULA & TRACEABILITY
3 个公式 · 3 项来源公式依据与适用条件
计算公式、变量含义和模型边界公开展示；参考资料最近核验于 2026-08-28.
CORE EQUATIONS
核心计算公式
直接参与主要结果计算，是本工具的核心模型。
1 个DERIVED & CONVERSION
派生与换算公式
由核心量进一步推导单位、电平或辅助工程量。
2 个F02
表面电阻
Rₛ = 1 / (σδ) = √(πfμ / σ)描述高频电流集中在导体表面时的单位方块等效电阻。
- Rₛ
- 表面电阻Ω/□
- σ
- 电导率S/m
- δ
- 趋肤深度m
适用条件
- 良导体近似
- 导体厚度相对趋肤深度足够大
F03
导体内场幅值衰减
|E(z)| = |E(0)|e^(−z/δ)在良导体平面波近似下，电磁场幅值随深度按指数衰减。
- z
- 进入导体的深度m
- δ
- 趋肤深度m
适用条件
- 平面波、均匀半无限良导体近似
REFERENCES
参考文献
01NIST · NIST Technical Note 1536Measuring the Permittivity and Permeability of Lossy Materials2005 · 给出金属趋肤深度、表面电阻及其频率关系。
02U.S. Naval Research Laboratory · NRL/PU/6790-23-677NRL Plasma Formulary2023 · 收录有损介质中的趋肤深度与相关电磁量公式。
03NIST / CODATA · NIST SP 961 database, 2022 adjustment2022 CODATA recommended values of the fundamental constants2024 网页版 · 提供当前真空磁导率 μ₀ = 1.256 637 061 27(20) × 10⁻⁶ N/A²。
工程使用说明
结果基于页面列出的模型与假设，用于设计阶段估算和预认证风险判断。复杂结构、材料频散、近场耦合及测试布置可能造成显著偏差。
FAQ
常见问题
趋肤深度的计算公式是什么？
δ = 1 / √(π·f·μ·σ)。以铜（σ = 5.8×10⁷ S/m、μᵣ = 1）为例，1 MHz 时 δ ≈ 65.2 μm。
屏蔽层厚度要取多少倍趋肤深度？
工程上常取 3～5 个趋肤深度作为有效屏蔽的参考厚度；具体要求取决于目标屏蔽效能、频率范围和成本约束。
为什么高频电流集中在导体表面？
良导体（σ ≫ ωε）内部场幅值按 e^(−z/δ) 指数衰减，电流集中在表面薄层内，等效交流电阻随频率升高而增大。
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