F01
集肤深度
δ = 1 / √(πfμσ) = 1 / √(πfμ₀μᵣσ)场幅值进入导体后衰减至表面值 1/e 的特征深度。
- δ
- 趋肤深度m
- f
- 频率Hz
- μ
- 绝对磁导率 μ₀μᵣH/m
- σ
- 电导率S/m
适用条件
- 良导体近似 σ ≫ ωε
- 均匀、各向同性材料
EMC设计
屏蔽效能计算器
估算单层均匀屏蔽的集肤深度、吸收损耗、反射损耗、多次反射修正与孔隙泄漏，远场平面波近似。
FORMULAv1.0.0
INPUT PARAMETERS
输入材料与厚度
远场平面波、单层均匀屏蔽近似；有开孔时整体屏蔽由孔隙控制。
CALCULATION RESULT
计算结果
本地计算
∿
输入参数后点击计算，结果和模型假设会显示在这里。
FORMULA & TRACEABILITY
5 个公式 · 4 项来源公式依据与适用条件
计算公式、变量含义和模型边界公开展示；参考资料最近核验于 2026-08-30.
CORE EQUATIONS
核心计算公式
直接参与主要结果计算，是本工具的核心模型。
3 个F02
吸收损耗
A = 8.686 · t / δ屏蔽体厚度 t 相对趋肤深度带来的吸收衰减（dB）。
- A
- 吸收损耗dB
- t
- 屏蔽厚度m
适用条件
- 单层均匀屏蔽
F03
平面波反射损耗
R = 168 − 10·log₁₀(f·μᵣ/σᵣ)平面波在屏蔽界面的反射损耗，σᵣ = σ/σ_铜。
- R
- 反射损耗dB
- μᵣ
- 相对磁导率1
- σᵣ
- 相对电导率 σ/σ_铜1
适用条件
- 远场平面波入射
DERIVED & CONVERSION
派生与换算公式
由核心量进一步推导单位、电平或辅助工程量。
2 个F04
多次反射修正
MRC = 20·log₁₀(1 − 10^(−A/10))薄屏蔽（A 较小）时内部多次反射造成的修正项。
- MRC
- 多次反射修正dB
适用条件
- A < 15 dB 时不可忽略
F05
单孔泄漏简化包络
SE_pore ≈ 20·log₁₀(λ / (2·d_max))以最大开孔 d_max 得到远场单孔工程包络；min(本体 SE, 孔隙 SE) 仅是保守瓶颈估算，不是实际腔体的严格解。
- d_max
- 最大开孔尺寸m
适用条件
- 远场、单孔近似，d_max < λ/2
- 不适用于多孔阵、接缝、通风板或腔体谐振的定量预测
REFERENCES
参考文献
01NASA · NASA CR-4784, sections 5.2–5.3Design Guidelines for Shielding Effectiveness, Current Carrying Capability, and the Enhancement of Conductivity of Composite Materials1997 · 公开技术报告列出 SE=A+R+B、吸收损耗及远场平面波反射损耗形式，用于独立核对本体屏蔽计算。
02Van Nostrand · Schelkunoff, S.A., 1943 (single-layer shield theory)Electromagnetic Waves1943 · 单层均匀屏蔽的 Schelkunoff 理论，SE = A + R + MRC 的来源。
03Wiley · Ott, H.W., 2009, Ch.13 (Shielding)Electromagnetic Compatibility Engineering2009 · 第 13 章给出吸收 / 反射损耗与孔隙泄漏处理，本工具的基础。
04IEEE · Schulz, R.B., et al., IEEE Trans. EMC-30(3), 1988Shielding Theory and Practice1988 · 屏蔽理论综述；用于核对模型的假设与边界，不将简化单孔式误表述为实际箱体的严格解。
工程使用说明
结果基于页面列出的模型与假设，用于设计阶段估算和预认证风险判断。复杂结构、材料频散、近场耦合及测试布置可能造成显著偏差。
FAQ
常见问题
屏蔽效能（SE）的定义是什么？
SE(dB) = 20·lg(E_入射 / E_透射)。按传输线理论可分解为吸收损耗 A、反射损耗 R 与多次反射修正 B 三项（Schelkunoff 分解）。
吸收损耗的计算公式是什么？
A(dB) = 8.686 · t / δ，t 为屏蔽体厚度、δ 为该频率下的趋肤深度。每增加一个趋肤深度厚度约增加 8.7 dB 吸收损耗。
为什么低频磁场特别难屏蔽？
低频磁场下反射损耗几乎失效、趋肤深度又很大（吸收损耗不足），必须改用高磁导率材料（如坡莫合金、硅钢）做磁通分流；铜铝对低频 H 场基本无效。
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