F01
微带线特性阻抗(IPC-2141A)
Z₀ = (87 / √(εᵣ+1.41)) · ln(5.98 h / (0.8W + T))适用 0.1 < W/h < 2.0 的准静态近似。
- W
- 导体宽度m
- h
- 到参考面介质厚度m
- T
- 导体厚度m
- εᵣ
- 相对介电常数1
适用条件
- 0.1 < W/h < 2.0
- 准静态、忽略色散
计算微带线、对称带状线与传统无背面地 CPW 的特性阻抗,并按各自几何变量反解。
微带线 / 带状线按 IPC-2141A 准静态公式;CPW 为 Wen 传统无背面地、无限厚基片简化模型。
输入参数后点击计算,结果和模型假设会显示在这里。
计算公式、变量含义和模型边界公开展示;参考资料最近核验于 2026-08-30.
直接参与主要结果计算,是本工具的核心模型。
3 个Z₀ = (87 / √(εᵣ+1.41)) · ln(5.98 h / (0.8W + T))适用 0.1 < W/h < 2.0 的准静态近似。
Z₀ = (60 / √εᵣ) · ln(4 b / (0.67π (0.8W + T)))对称带状线(两参考面等距)特性阻抗。
Z₀ = (30π / √ε_eff) · K(k′)/K(k),k = W/(W+2s),ε_eff = (εᵣ+1)/2Wen 传统无背面地 CPW 的准静态简化;K(k) 为第一类完全椭圆积分,采用 Gauss 算术几何平均(AGM)算法求解。
结果基于页面列出的模型与假设,用于设计阶段估算和预认证风险判断。复杂结构、材料频散、近场耦合及测试布置可能造成显著偏差。
常用 Hammerstad–Jensen 等近似式,由 W/h、介质 εᵣ 决定。经验值:1.6 mm FR4 上 50 Ω 微带约 W/h ≈ 1.8~2。
Z0 = (60 / √εᵣ) · ln(b / a),b、a 为外导体内径与内导体外径。50 Ω 对应 b/a ≈ 2.3。
与仪器、连接器、天线构成一致的阻抗链,避免反射和驻波;阻抗突变处还会形成辐射缝隙,增加 EMI 风险。
本工具用于设计阶段估算。正式的 EMC 测试、标准符合性判定与整改咨询,欢迎联系我们。