F01
互电容位移电流
I_cap = Cₘ · (dV/dt)干扰源电压变化通过总互电容 Cₘ 向受害回路注入位移电流。
- I_cap
- 注入受害回路的位移电流A
- Cₘ
- 互电容(总耦合量)F
- dV/dt
- 干扰源电压变化率V/s
适用条件
- 集总参数近似,l ≪ λ
- Cₘ 为总耦合量;单位长度值须先乘耦合长度
估算电小近似下的集总容性与感性耦合;NEXT/FEXT 在分布参数模型完成权威审校前停止输出。
只计算量纲闭合的容性与感性耦合;NEXT/FEXT 在分布参数模型完成权威审校前停止输出。
输入参数后点击计算,结果和模型假设会显示在这里。
计算公式、变量含义和模型边界公开展示;参考资料最近核验于 2026-08-30.
直接参与主要结果计算,是本工具的核心模型。
2 个I_cap = Cₘ · (dV/dt)干扰源电压变化通过总互电容 Cₘ 向受害回路注入位移电流。
V_ind = Lₘ · (dI/dt)由互感 Lₘ 与干扰源电流变化率 dI/dt 产生的感应电压(法拉第定律)。
由核心量进一步推导单位、电平或辅助工程量。
1 个V_cap = I_cap · Rᵥ = Cₘ · (dV/dt) · Rᵥ由互电容 Cₘ 与干扰源电压变化率 dV/dt,在受害线负载 Rᵥ 上产生的耦合电压。
用于检查模型适用范围、测量条件或法规规则。
1 个F·(V/s)·Ω = V;H·(A/s) = V容性与感性集总式均输出电压;未通过该检查的 NEXT/FEXT 旧式已停止使用。
结果基于页面列出的模型与假设,用于设计阶段估算和预认证风险判断。复杂结构、材料频散、近场耦合及测试布置可能造成显著偏差。
集总模型下被扰线感应电压近似 V_受扰 = V_施扰 · ω·R·C(耦合系数远小于 1 时),互容 C 与耦合长度、线间距相关,耦合量随频率上升。
V_受扰 = M · di/dt,M 为互感,与两回路面积和几何走向相关。驱动边沿越快(di/dt 越大),感性串扰越强。
增大间距(3W 原则)、缩短平行长度、关键信号层邻接地平面、加保护地线,以及降低驱动边沿速率或串联端接。
本工具用于设计阶段估算。正式的 EMC 测试、标准符合性判定与整改咨询,欢迎联系我们。