F01
自由空间平面波阻抗
E / H = Z₀均匀自由空间远场平面波中,电场与磁场 RMS 幅值之比等于真空特性阻抗。
- E
- 电场强度 RMSV/m
- H
- 磁场强度 RMSA/m
- Z₀
- 真空特性阻抗,376.730 313 412Ω
适用条件
- 自由空间远场
- 均匀平面波
- 不适用于反应近场或感应近场
在自由空间远场平面波条件下换算 E、H、B 与平均功率密度。
在自由空间远场平面波条件下联动换算 E、H、B 与平均功率密度。
输入参数后点击计算,结果和模型假设会显示在这里。
计算公式、变量含义和模型边界公开展示;参考资料最近核验于 2026-08-30.
直接参与主要结果计算,是本工具的核心模型。
2 个E / H = Z₀均匀自由空间远场平面波中,电场与磁场 RMS 幅值之比等于真空特性阻抗。
S = EH = E²/Z₀ = H²Z₀使用 RMS 场强计算时间平均坡印廷功率密度。
由核心量进一步推导单位、电平或辅助工程量。
2 个B = μ₀H在真空或空气近似中,由磁场强度计算磁通密度。
L_E = 20log₁₀(E/1μV·m⁻¹);L_S = 10log₁₀(S/1mW·m⁻²)场量使用 20 倍对数,功率量使用 10 倍对数,并分别声明参考量。
结果基于页面列出的模型与假设,用于设计阶段估算和预认证风险判断。复杂结构、材料频散、近场耦合及测试布置可能造成显著偏差。
远场平面波中 E / H = Z₀ = 376.73 Ω(真空波阻抗)。例如 E = 1 V/m 对应 H ≈ 2.65 mA/m。
S = E² / Z₀。E = √(S × 376.73),例如 1 W/m² 对应 E ≈ 19.4 V/m。注意场量用 20lg、功率量用 10lg。
近场 E/H 由源的类型决定:高阻电场源(如杆天线)E 偏大,低阻磁场源(如线圈)H 偏大,比值不固定,波阻抗概念失效。
本工具用于设计阶段估算。正式的 EMC 测试、标准符合性判定与整改咨询,欢迎联系我们。