用串联L-DCR支路与并联寄生电容Cp的一阶模型计算复阻抗、相位、Q值和自谐振。
L、DCR与并联寄生电容Cp必填；数据来源和模型验证上限可选，不参与数值计算。
输入参数后点击计算，结果和模型假设会显示在这里。
计算公式、变量含义和模型边界公开展示；参考资料最近核验于 2026-08-30.
直接参与主要结果计算，是本工具的核心模型。
1 个Z_s=DCR+jωL, Y=1/Z_s+jωC_p, Z=1/Y用串联L-DCR支路描述绕组，再与等效自电容Cp并联；通过复导纳计算阻抗实部、虚部、幅值和相位。
由核心量进一步推导单位、电平或辅助工程量。
2 个f_SRF,nom = 1/(2π√(L·C_p))令理想电感与并联自电容的电纳大小相等，得到datasheet和一阶估算中常见的名义SRF。
Q_s(f)=ωL/DCR给出当前频点串联L-DCR支路的电抗与电阻之比；它不是包含并联Cp后整个器件在所有频率下的统一品质因数。
用于检查模型适用范围、测量条件或法规规则。
1 个ω_0²=1/(L·C_p)−(DCR/L)², |Z(ω_0)|=L/(C_p·DCR)由总导纳虚部B=0推导完整一阶模型的相位过零频率，并给出该点的纯电阻阻抗；当ω₀²≤0时不存在相位过零。
结果基于页面列出的模型与假设，用于设计阶段估算和预认证风险判断。复杂结构、材料频散、近场耦合及测试布置可能造成显著偏差。
f_SRF = 1 / (2π·√(L·C_p))，C_p 为绕组寄生电容。超过 SRF 后电感整体呈容性，阻抗迅速下降。
磁珠以电阻性损耗为主，把噪声能量转化为热量，不易形成谐振尖峰；电感以储能为主，与寄生电容容易谐振。高频噪声抑制通常优先选磁珠。
阻抗在 SRF 处达到最大（近似纯阻性），随后转为容性快速下降。选型时应保证主要工作频段明显低于 SRF。
本工具用于设计阶段估算。正式的 EMC 测试、标准符合性判定与整改咨询，欢迎联系我们。